技術文章
Technical articles
熱門搜索：
Fitzgerald Industries International代理
Envirologix 轉基因快速檢測試紙
Epitomics現貨抗體目錄
ABgene代理30
EVE™ Slide（EVE細胞計數板）
Cayman Chemical 特約代理
法國ID-VET
Sinobio公司產品介紹
美國Sutter 玻璃毛坯 BF100-50-10
polysciences公司中國總代理
Abcam代理
genview
D12079BWestern Diet(高純度飼料)
TEAA Solution（貨號：553303;SP5890）
LSPN-50ABMI公司LYSOSTAPHIN中國總代理
天然小鼠補體C1q蛋白
更新時間：2022-06-07
點擊次數：2208
2dsemiconductors Ta2NiS5 晶體簡介
激子絕緣體是表現出相關電子相的新型材料系統。當激子結合能 (Eb) 大于帶隙 (Eg) 時，激子會凝聚到其基態。半導體中的激子凝聚通過 Bose-Einstein 凝聚過程發生，而半金屬中的凝聚通過 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 過程發生。正交傳導（電子）和價（空穴）帶之間的庫侖引力引起的自發帶雜化打開帶隙并驅動系統進入絕緣狀態
分子式： Ta2NiS5
Ta2NiS5 是一種窄帶隙半導體 (Eg~0.39 eV)，具有可疑的激子絕緣體行為，如在其姊妹化合物TA2NISE5中觀察到的。激子絕緣體是表現出相關電子相的新型材料系統。當激子結合能 (Eb) 大于帶隙 (Eg) 時，激子會凝聚到其基態。半導體中的激子凝聚通過 Bose-Einstein 凝聚過程發生，而半金屬中的凝聚通過 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) 過程發生。正交傳導（電子）和價（空穴）帶之間的庫侖引力引起的自發帶雜化打開帶隙并驅動系統進入絕緣狀態
Ta2NiS5 晶體的性質
Ta2NiS5晶體的原子結構
Ta2NiS5 晶體的拉曼光譜
當前位置：
